Транзистор N-MOSFET Vishay SI1032R-T1-GE3, SMD SC75A, 20 В, 0,14 А (комплект 40 шт.)

Транзистор N-MOSFET Vishay SI1032R-T1-GE3 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення у корпусі SC75A для SMD-монтажу. Комплект складається з 40 одиниць.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: 20 В
• Постійний струм стіка: 0,14 А
• Корпус: SC75A для SMD-монтажу
• Розсіювана потужність: 0,13 Вт
• Кількість у комплекті: 40 шт.

Технічні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 20 В та постійний струм стіка 0,14 А. Імпульсний струм може досягати -0,5 А, а розсіювана потужність становить 0,13 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 5 Ом.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі SC75A для поверхневого монтажу (SMD). Версія ESD вказує на наявність захисту від електростатичного розряду.

Комплектація

У пакеті постачається 40 транзисторів SI1032R-T1-GE3.