Транзистор P-MOSFET Vishay SI1013CX-T1-GE3, SOT563, комплект 60 шт.

Комплект із 60 транзисторів P-MOSFET від виробника Vishay, модель SI1013CX-T1-GE3. Призначені для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі SC89 (SOT563) із використанням технології TrenchFET®.

• Комплект із 60 транзисторів
• Тип: P-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
• Корпус: SC89 (SOT563), монтаж SMD
• Напруга стік-виток: -20 В
• Струм стоку: -0,45 А (постійний), -1,5 А (імпульсний)
• Розсіювана потужність: 0,19 Вт
• Опір у відкритому стані: 1,5 Ом
• Технологія: TrenchFET®

Електричні параметри

Транзистор є уніполярним із збагачуваним каналом. Максимальна напруга між стоком та витоком становить -20 В, а постійний струм стоку — -0,45 А. У імпульсному режимі струм стоку може досягати -1,5 А. Напруга на затворі обмежена ±8 В.

Потужність та опір у відкритому стані

Розсіювана потужність транзистора дорівнює 0,19 Вт. Опір у відкритому стані (Rds(on)) становить 1,5 Ом. Заряд затвора — 2,5 нКл.

Технологія та монтаж

Транзистори виготовлені за технологією TrenchFET® у корпусі SC89 (SOT563) для поверхневого монтажу (SMD). У наборі постачається 60 одиниць.