Модуль IGBT SEMIKRON DANFOSS SEMIX71GD12E4S, 75A, 1200В, корпус SEMIX®13 (SEMIX71GD12E4S 27890190)

Модуль IGBT від бренду SEMIKRON DANFOSS із моделлю SEMIX71GD12E4S призначений для потужних електронних систем. Цей напівпровідниковий компонент забезпечує стабільну роботу у складних промислових умовах.

• Номінальний струм колектора 75 А для потужних навантажень
• Імпульсний струм до 225 А для стійкості до піків
• Максимальна зворотна напруга 1,2 кВ для надійної ізоляції
• Трифазна топологія IGBT-моста з термістором
• Корпус SEMIX®13 для стандартного монтажу
• Призначений для UPS, інверторів та фотоелектрики

Потужність та струм

Модуль має номінальний струм колектора 75 А, що дозволяє ефективно керувати значними навантаженнями. Імпульсний струм колектора досягає 225 А, що важливо для стійкості до пікових навантажень у динамічних режимах роботи.

Напруга та ізоляція

Максимальна зворотна напруга становить 1,2 кВ, що визначає граничне значення зворотної напруги. Напруга між затвором та емітером обмежена ±20 В, що відповідає стандартним вимогам до керуючих сигналів для IGBT-модулів.

Топологія та структура

Компонент виконаний як трифазний IGBT-міст із вбудованим термістором для контролю температури. Структура напівпровідника «транзистор/транзистор» забезпечує оптимальне розподілення навантаження та ефективне перемикання.

Монтаж та застосування

Модуль призначений для гвинтового монтажу та використання технології Press-Fit для електричного з'єднання. Він ідеально підходить для систем безперебійного живлення (UPS), інверторів та фотоелектричних установок.

Корпус та надійність

Компонент розміщений у стандартному корпусі SEMIX®13, що є стандартним виконанням для цього типу модулів. Таке виконання гарантує довговічність та стабільність характеристик у тривалій експлуатації.