Модуль IGBT SEMIKRON DANFOSS SEMIX71GD12E4S, 225 А, 1,2 кВ (SEMIX71GD12E4S 27890190)

Напівпровідниковий модуль IGBT від бренду SEMIKRON DANFOSS із моделлю SEMIX71GD12E4S. Пристрій має максимальний струм колектора 225 А та максимальну зворотну напругу 1,2 кВ.

• Максимальний струм колектора: 225 А
• Максимальна зворотна напруга: 1,2 кВ
• Напруга затвор-емітер: ±20 В
• Корпус: SEMIX®13
• Тип монтажу: вставний
• Топологія: трифазний міст IGBT з термістором

Електричні параметри

Модуль характеризується максимально допустимим струмом колектора 225 А. Максимальна зворотна напруга становить 1,2 кВ, а напруга між затвором та емітером — ±20 В.

Конструкція та монтаж

Виріб виконаний у корпусі SEMIX®13 із вставним типом монтажу. Структура напівпровідника реалізована за схемою «транзистор/транзистор», а топологія являє собою трифазний міст IGBT з термістором.