Модуль IGBT SEMIKRON DANFOSS SEMIX603GB12E4SICP, 600 А, 1,2 кВ (SEMIX603GB12E4SICP 27895300)

Модуль IGBT виробництва SEMIKRON DANFOSS із моделлю SEMIX603GB12E4SICP. Пристрій має максимальний струм колектора 600 А та максимальну зворотну напругу 1,2 кВ. Корпус виконаний у форматі SEMiX® 3p.

• Максимальний струм колектора: 600 А
• Максимальна зворотна напруга: 1,2 кВ
• Напруга затвор-емітер: ±20 В
• Тип монтажу: вставний
• Корпус: SEMiX® 3p
• Структура: транзистор/транзистор

Електричні параметри

Модуль характеризується максимально допустимим струмом колектора 600 А. Максимальна зворотна напруга становить 1,2 кВ. Напруга між затвором та емітером дорівнює ±20 В.

Конструкція та монтаж

Внутрішня структура напівпровідника реалізована за схемою «транзистор/транзистор». Топологія модуля включає напівпровідниковий міст IGBT та термістор. Монтаж виконується вставним способом.