Модуль IGBT SEMIKRON DANFOSS SEMIX603GB12E4SICP, 600A, 1200V (SEMIX603GB12E4SICP 27895300)

Модуль IGBT від бренду SEMIKRON DANFOSS із моделлю SEMIX603GB12E4SICP призначений для потужних електронних систем. Він поєднує високу струмову навантаженість та надійну конструкцію для промислового застосування.

• Номінальний струм колектора 600 А для високих навантажень
• Імпульсний струм до 1,2 кА для пускових режимів
• Максимальна зворотна напруга 1,2 кВ
• Корпус SEMiX® 3p зі стандартним монтажем
• Підтримка технології Press-Fit для електричного з'єднання
• Застосування в UPS, інверторах та фотоелектриці

Потужність та струмові характеристики

Модуль забезпечує номінальний струм колектора 600 А, що дозволяє працювати з високими навантаженнями. Імпульсний струм може досягати 1,2 кА, що важливо для пускових режимів обладнання. Максимальна зворотна напруга становить 1,2 кВ, гарантуючи стабільну роботу в мережах високої напруги.

Конструкція та монтаж

Виконаний у корпусі SEMiX® 3p, що забезпечує стандартні розміри для інтеграції. Механічне кріплення здійснюється за допомогою прикручування, що гарантує надійність з'єднання. Електричний монтаж підтримує технологію Press-Fit та прикручування, спрощуючи процес встановлення на платі.

Сфера застосування

Модуль оптимізований для використання в системах безперебійного живлення (UPS), частотних перетворювачах та фотоелектричних установках. Така універсальність робить його затребуваним компонентом для енергетичних рішень.

Структура напівпровідника

Внутрішня топологія модуля реалізована як напівміст IGBT з термістором. Це забезпечує ефективне керування потужністю та захист від перегріву. Напруга між затвором та емітером становить ±20 В, що відповідає стандартним драйверам керування.