Транзистор ONSEMI SBC856BDW1T1G, PNP x2, 65В, 0,1А, SOT363, 200 шт.
2 170 ₴
- В наявності
- Код: TM036746
Транзистор ONSEMI SBC856BDW1T1G, PNP x2, 65В, 0,1А, SOT363, 200 шт.В наявності
2 170 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор ONSEMI SBC856BDW1T1G — це біполярний компонент типу PNP x2 у корпусі SOT363. Комплект складається з 200 штук, призначений для монтажу на поверхню (SMD).
- Тип транзистора: PNP x2 (біполярний)
- Напруга колектор-емітер: 65 В
- Струм колектора: 0,1 А
- Потужність розсіювання: 0,38 Вт
- Корпус: SOT363 (SC70-6, SC88)
- Монтаж: SMD
- Кількість у комплекті: 200 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу колектор-емітер 65 В та струм колектора 0,1 А. Потужність розсіювання становить 0,38 Вт. Коефіцієнт підсилення (hFE) знаходиться в діапазоні 220...475.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі SC70-6, SC88, SOT363. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж). Максимальна робоча частота становить 100 МГц.
Комплектація
У пакуванні міститься 200 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.38 Вт |
| Максимально допустима напруга колектор-емітер | 65 В |
| Максимально допустимий струм колектора | 0.1 А |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Біполярний |
| Додаткові характеристики | |
| Гранична частота передачі | 100 МГц |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 200 шт. |
| Корпус | SC70-6, SC88, SOT363 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 170 ₴