Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S3M0040120K, SiC, 1,2 кВ, 46 А, комплект 5 шт.
3 020 ₴
- В наявності
- Код: TM020368
Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S3M0040120K, SiC, 1,2 кВ, 46 А, комплект 5 шт.В наявності
3 020 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Комплект із 5 потужних транзисторів SMC DIODE SOLUTIONS S3M0040120K. Це N-MOSFET на основі карбіду кремнію (SiC) з напругою 1,2 кВ та струмом 46 А.
- Технологія SiC
- Напруга дрена-джерела 1,2 кВ
- Струм дрена 46 А, імпульсний 223 А
- Опір у стані провідності 50 мОм
- Корпус TO247-4 з виведенням Кельвіна
- Комплект із 5 транзисторів
Висока напруга та струм
Транзистор має робочу напругу дрена-джерела 1,2 кВ та номінальний струм дрена 46 А. Використовується технологія SiC. Імпульсний струм дрена становить 223 А.
Низький опір та потужність
Опір у стані провідності становить 50 мОм. Потужність розсіювання — 130 Вт. Заряд затвора — 143 нКл.
Корпус та монтаж
Компоненти виконані у корпусі TO247-4 з виведенням Кельвіна. Монтаж здійснюється через отвори (THT). У комплекті постачається 5 штук.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 130 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 18 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 46 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 50 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | TO247-4 |
| Виробник | SMC DIODE SOLUTIONS |
| Технологія | SiC |
Інформація для замовлення
- Ціна: 3 020 ₴