Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S3M0040120B, SiC, 40А, 333Вт, комплект 5 шт.
2 450 ₴
- В наявності
- Код: TM077174
Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S3M0040120B, SiC, 40А, 333Вт, комплект 5 шт.В наявності
2 450 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET від бренду SMC DIODE SOLUTIONS, модель S3M0040120B. Це напівпровідниковий прилад на основі технології SiC у комплекті з 5 штук.
- Технологія SiC (карбід кремнію)
- Максимальна потужність розсіювання 333 Вт
- Максимальний струм стоку 40 А
- Корпус T2PAK для SMD монтажу
- Комплект з 5 транзисторів
Потужність та струм
Максимальна потужність розсіювання становить 333 Вт. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 40 А. Ці параметри визначають граничні характеристики транзистора.
Технологія SiC
Виріб виготовлений за технологією SiC (карбід кремнію). Корпус виконаний у форматі T2PAK для монтажу на поверхню плати (SMD).
Імпульсний струм та заряд затвора
Максимальний імпульсний струм стоку (Idm) становить 200 А. Заряд затвора дорівнює 143 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 333 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 18 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 40 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 50 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 5 шт. |
| Корпус | T2PAK |
| Виробник | SMC DIODE SOLUTIONS |
| Технологія | SiC |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 450 ₴