Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S3M0025120T, SiC, 1200 В, 54 А, TOLL (3 шт.)
2 060 ₴
- В наявності
- Код: TM077173
Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S3M0025120T, SiC, 1200 В, 54 А, TOLL (3 шт.)В наявності
2 060 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET від бренду SMC DIODE SOLUTIONS, модель S3M0025120T, виготовлений за технологією SiC. Це уніполярний компонент із напругою дрена-джерела 1,2 кВ та струмом дрена 54 А,.
- Технологія SiC
- Напруга дрена-джерела 1,2 кВ
- Струм дрена 54 А, імпульсний 200 А
- Розсіювана потужність 517 Вт
- Корпус TOLL для SMD монтажу
- Комплект із 3 штук
Висока напруга та струм
Компонент працює з напругою дрена-джерела 1,2 кВ,. Номінальний струм дрена становить 54 А, а імпульсний струм (Idm) досягає 200 А,.
Ефективність технології SiC
Використання карбіду кремнію (SiC) як напівпровідникового матеріалу забезпечує низьку резистанцію у стані провідності — 36 мОм.
Потужність та монтаж
Максимальна розсіювана потужність транзистора становить 517 Вт,. Компонент виконаний у корпусі TOLL для поверхневого монтажу (SMD),.
Комплектація
У комплекті постачається 3 штуки транзисторів S3M0025120T,.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 517 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 18 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 54 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 36 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 3 шт. |
| Корпус | TOLL |
| Виробник | SMC DIODE SOLUTIONS |
| Технологія | SiC |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 060 ₴