Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S3M0025120B, SiC, 1200 В, 52 А, T2PAK — набір 2 шт.

Транзистор N-MOSFET від бренду SMC DIODE SOLUTIONS, модель S3M0025120B, виготовлений за технологією SiC. Це потужний напівпровідниковий прилад для високовольтних застосувань, що забезпечує ефективну комутацію в складних електронних схемах.

• Технологія SiC для високої ефективності
• Напруга дрена-джерела 1,2 кВ
• Струм дрена 52 А (імпульсний 200 А)
• Потужність розсіювання 394 Вт
• Корпус T2PAK для SMD монтажу
• Набір із 2 транзисторів

Висока напруга та струм

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 1,2 кВ та постійний струм дрена 52 А. Це дозволяє використовувати компонент у високовольтних інверторах та джерелах живлення, де потрібна надійна робота під значним навантаженням.

Ефективність технології SiC

Використання карбіду кремнію (SiC) як напівпровідникового матеріалу забезпечує низькі втрати при перемиканні та високу термостійкість. Така технологія критично важлива для підвищення загального ККД пристрою та зменшення нагрівання.

Компактний монтаж та потужність

Компонент має корпус T2PAK та призначений для поверхневого монтажу (SMD), що економить місце на платі. Потужність розсіювання становить 394 Вт, що вимагає якісного відведення тепла, але гарантує стабільну роботу при високих навантаженнях.

Зручна комплектація

Товар постачається у вигляді набору з 2 штук, що зручно для прототипування або ремонту плат, де використовується пара транзисторів. Наявність виведення Кельвіна спрощує вимірювання та налаштування схеми керування.

Низький опір у відкритому стані та зарядка затвора 175 нКл Опір у відкритому стані 36 мОм зменшує втрати на нагріванні при струмі 52 А, що підвищує ККД схеми. Заряд затвора 175 нКл визначає швидкість перемикання та вимоги до драйвера. Ці параметри важливі для високочастотних перетворювачів, де мінімізація втрат є критичною. ## Керування затвором та імпульсний струм Напруга затвор-джерело -4...18 В дозволяє використовувати стандартні драйвери затвора. Імпульсний струм дрена 200 А забезпечує надійну роботу при короткочасних пікових навантаженнях. Це розширює можливості застосування транзистора в імпульсних режимах. Цей транзистор підходить для інженерів та техніків, які працюють над промисловими джерелами живлення, сонячними інверторами або системами керування двигунами, де потрібна висока надійність та ефективність.