Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S3M0016120D, SiC, 1200 В, 85 А, TO247-3 (2 шт.)

Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S3M0016120D — це силовий напівпровідниковий прилад на основі карбіду кремнію (SiC), призначений для роботи в високовольтних ланцюгах. Комплект складається з 2 одиниць у корпусі TO247-3, що забезпечує зручний монтаж на плату.

• Технологія SiC для високої ефективності
• Напруга дрена-джерела 1,2 кВ
• Струм дрена 85 А (постійний)
• Імпульсний струм до 250 А
• Розсіювана потужність 732 Вт
• Опір у стані провідності 16 мОм
• Корпус TO247-3, монтаж THT
• Комплект: 2 шт.

Висока напруга та струм

Прилад розрахований на напругу дрена-джерела 1,2 кВ та постійний струм дрена 85 А. Це дозволяє використовувати транзистор у потужних інверторах та джерелах живлення, де потрібна стабільна робота під високим навантаженням.

Ефективність технології SiC

Використання технології SiC забезпечує низький опір у стані провідності 16 мОм. Такий показник мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента, що є критичним для підвищення ККД пристрою.

Потужність та імпульсні характеристики

Максимальна розсіювана потужність становить 732 Вт, а імпульсний струм дрена може досягати 250 А. Ці параметри гарантують надійність при різких пікових навантаженнях та короткочасних перевантаженнях у силових схемах.

Зручність монтажу та керування

Транзистор має монтаж THT (через отвори) та корпус TO247-3, що спрощує пайку та забезпечує механічну міцність. Напруга керування затвором у діапазоні від -4 до 18 В дозволяє інтегрувати компонент у різні схеми керування. Заряд затвора становить 287 нКл, що впливає на швидкість перемикання та вимоги до драйвера затвора.