Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S3M0016120B SiC 1,2kV 75A — набір 2 шт.

Транзистор N-MOSFET від SMC DIODE SOLUTIONS моделі S3M0016120B — це потужний компонент на основі карбіду кремнію (SiC) для високовольтних застосувань. Він забезпечує робочий струм 75 А та напругу 1,2 кВ, що робить його ідеальним для промислової електроніки та силових перетворювачів.

• Технологія SiC для високої ефективності
• Напруга дренаж-джерело 1,2 кВ
• Струм дренажу 75 А, імпульсний 250 А
• Розсіювана потужність 576 Вт
• Опір у стані провідності 25 мОм
• Корпус T2PAK, монтаж SMD
• Комплект із 2 штук

Висока ефективність SiC-технології

Використання технології SiC дозволяє зменшити втрати енергії та підвищити ККД пристрою. Низький опір у стані провідності 25 мОм мінімізує нагрівання компонента під час роботи. Це особливо важливо для систем, де критична енергоефективність та стабільність параметрів.

Потужність та імпульсні характеристики

Транзистор розрахований на розсіювання потужності до 576 Вт, що свідчить про його витривалість у складних умовах. Максимальний імпульсний струм дренажу становить 250 А, що дозволяє використовувати компонент у ланцюгах із високими піковими навантаженнями. Такий запас міцності забезпечує надійність роботи при раптових сплесках струму.

Зручний монтаж та комплектація

Компонент виконаний у корпусі T2PAK із технологією монтажу SMD, що спрощує автоматизоване виробництво плат. У комплекті постачається 2 штуки, що зручно для прототипування або заміни. Наявність виведення Кельвіна покращує точність вимірювань та керування в силових схемах. Заряд затвора становить 287 нКл, що впливає на швидкість перемикання та втрати на керування. Діапазон напруги затвор-джерело від -4 до 18 В забезпечує гнучкість у виборі драйверів. Канал збагачуваний, що гарантує стабільне відкривання при подачі керуючого сигналу. Транзистор є уніполярним, що спрощує схемотехніку силових ключів.