Транзистор N-MOSFET SMC DIODE SOLUTIONS S1M1000170J, SiC, 1,7 кВ, 4,1 А, D2PAK-7 (комплект 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET від SMC DIODE SOLUTIONS (модель S1M1000170J) — це силовий компонент на основі карбіду кремнію (SiC), призначений для роботи у високовольтних схемах. Комплект із 10 штук забезпечує необхідну кількість елементів для серійного виробництва або ремонту обладнання.

• Технологія SiC для високої ефективності
• Напруга дрена-джерела 1,7 кВ
• Струм дрена 4,1 А (імпульсний 15 А)
• Корпус D2PAK-7, монтаж SMD
• Комплект із 10 транзисторів

Високовольтна стійкість

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 1,7 кВ, що дозволяє використовувати його в інверторах та джерелах живлення високої потужності. Такий параметр критичний для пристроїв, де стандартні кремнієві компоненти не витримують навантаження.

Ефективність технології SiC

Використання технології SiC (карбід кремнію) забезпечує кращі енергетичні характеристики порівняно з традиційними кремнієвими транзисторами. Це дозволяє зменшити втрати енергії та підвищити загальний ККД пристрою.

Зручний монтаж та корпус

Компонент виконаний у корпусі D2PAK-7 з технологією монтажу SMD, що спрощує автоматизоване встановлення на друковані плати. Наявність виведення Кельвіна допомагає зменшити вплив індуктивності виводів на швидкість перемикання.

Потужність та струм

Максимальна розсіювана потужність становить 100 Вт, а номінальний струм дрена — 4,1 А. У імпульсному режимі транзистор витримує струм до 15 А, що важливо для пускових струмів та короткочасних перевантажень.

Комплектація

У комплекті постачається 10 транзисторів, що зручно для заміни групи компонентів або створення невеликої партії пристроїв.