Транзистор P-MOSFET ROHM RZM002P02T2L — це уніполярний компонент у корпусі SOT723 для монтажу SMD. Комплект складається зі 150 штук, що забезпечує запас для серійного виробництва або ремонтних робіт.
- Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
- Напруга дрена-джерела: -20 В
- Струм дрена: -200 мА (до -0,8 А в імпульсі)
- Потужність розсіювання: 0,15 Вт
- Корпус: SOT723, монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 150 шт.
Технічні параметри
Транзистор має напругу дрена-джерела -20 В та струм дрена -200 мА. У імпульсному режимі допустимий струм дрена сягає -0,8 А. Потужність розсіювання становить 0,15 Вт, а опір у стані провідності — 1,2 Ом.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі SOT723, що призначений для поверхневого монтажу (SMD). Версія ESD вказує на наявність захисту від електростатичного розряду, що важливо для надійності при обробці та монтажі.
Комплектація
У комплекті постачається 150 транзисторів. Така кількість дозволяє оптимізувати процес складання плат без частих замовлень дрібних партій. Транзистор має канал типу «wzbogacany» (enhancement), що визначає його поведінку при відкритті за допомогою напруги на затворі. Максимальна допустима напруга затвор-джерело становить ±8 В, що важливо враховувати при виборі драйвера або логічної схеми керування.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Rohm Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.15 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 8 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1200 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 150 шт. |
| Корпус | SOT723 |
- Ціна: 2 630 ₴

