Транзистор N-MOSFET ROHM RU1J002YNTCL, 50В, 200мА, SOT323F (набір 100 шт.)

Транзистор N-MOSFET ROHM RU1J002YNTCL — це уніполярний компонент з каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхню (SMD). Товар постачається набором із 100 штук у корпусі SOT323F.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Напруга дрена-джерела: 50 В
• Струм дрена: 200 мА (постійний), 0,8 А (імпульсний)
• Потужність розсіювання: 150 мВт
• Корпус: SOT323F, монтаж SMD
• Набір: 100 штук

Електричні параметри та напруга затвора

Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 50 В та постійний струм дрена 200 мА. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 0,8 А, а максимальна розсіювана потужність становить 150 мВт. Опір у стані провідності дорівнює 3,8 Ом. Максимальна напруга затвор-джерело становить ±8 В.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у компактному корпусі SOT323F для поверхневого монтажу (SMD). Версія ESD вказує на наявність захисту від електростатичних розрядів.

Комплектація та маркування

У пакуванні міститься 100 транзисторів ROHM SEMICONDUCTOR з маркуванням RU1J002YNTCL. Виробник вказаний як ROHM SEMICONDUCTOR, символ виробника — RU1J002YNTCL.