Транзистор P-MOSFET ROHM SEMICONDUCTOR RRR030P03HZGTL — це уніполярний компонент у корпусі SOT346 для монтажу SMD. Комплект складається з 30 штук, що забезпечує запас для серійного виробництва або ремонту плат.
- Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
- Напруга дрена-джерела: -30 В
- Струм дрена: -3 А (у імпульсі -12 А)
- Корпус: SOT346, монтаж SMD
- Розсіювана потужність: 1 Вт
- Опір у стані провідності: 75 мОм
- Кількість у комплекті: 30 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою дрена-джерела -30 В та струмом дрена -3 А. У імпульсному режимі допустимий струм сягає -12 А, а розсіювана потужність становить 1 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 75 мОм, що мінімізує втрати енергії при комутації.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі SOT346, який призначений для поверхневого монтажу (SMD). Таке рішення економить місце на друкованій платі та спрощує автоматизований монтаж. Версія ESD додатково захищає вхід від електростатичних розрядів.
Комплектація
У пакуванні міститься 30 транзисторів. Це дозволяє використовувати їх для прототипування або невеликих серій без необхідності замовляти великі партії.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Rohm Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 1 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 75 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Версія | ESD |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | SOT346 |
- Ціна: 2 730 ₴

