Транзистор P-MOSFET ROHM RQ5H020SPTL, -45В, -2А, TSMT3 (комплект 30 шт.)

Транзистор P-MOSFET ROHM RQ5H020SPTL — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі TSMT3. Комплект складається з 30 одиниць.

• Тип: P-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
• Напруга дрена-джерела: -45 В
• Струм дрена: -2 А (у імпульсі -8 А)
• Розсіювана потужність: 1 Вт
• Корпус: TSMT3, монтаж SMD
• Комплектація: 30 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою дрена-джерела до -45 В та постійним струмом дрена -2 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до -8 А, а максимальна розсіювана потужність становить 1 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 0,28 Ом.

Керування та монтаж

Напруга керування затвором (брамка-джерело) може змінюватися в межах ±20 В, а заряд затвора становить 4,5 нКл. Компонент має поверхневий монтаж (SMD) у корпусі TSMT3.