Транзистор P-MOSFET ROHM RQ3E120ATTB, -30В, -39А, HSMT8 (20 шт.)

P-MOSFET транзистор ROHM RQ3E120ATTB у корпусі HSMT8 для SMD-монтажу. Комплект складається з 20 одиниць.

• P-MOSFET транзистор з каналом збагачення
• Напруга дрена-джерела -30 В
• Струм дрена -39 А, імпульсний -48 А
• Потужність розсіювання 20 Вт
• Опір у провідному стані 11,3 мОм
• Корпус HSMT8 для SMD-монтажу
• Комплект з 20 транзисторів

Тип та монтаж

Транзистор є уніполярним P-MOSFET із каналом збагачення. Призначений для поверхневого монтажу (SMD) у корпусі HSMT8. Таке виконання забезпечує компактність вузла та зручність автоматизованого встановлення.

Напруга та струм

Максимальна напруга дрена-джерела становить -30 В, а напруга затвор-джерело — ±20 В. Струм дрена дорівнює -39 А, а в імпульсному режимі досягає -48 А. Ці параметри визначають робочий діапазон транзистора в схемах керування.

Потужність та опір

Потужність розсіювання становить 20 Вт. Опір у провідному стані дорівнює 11,3 мОм, що зменшує втрати енергії. Заряд затвора — 62 нКл, що впливає на швидкість перемикання.