Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET ROHM RHP020N06FRAT100, 60В, 2А, MPT3 (60 шт.)

1 900 ₴

  • В наявності
  • Код: TM076983
Транзистор N-MOSFET ROHM RHP020N06FRAT100, 60В, 2А, MPT3 (60 шт.)
Транзистор N-MOSFET ROHM RHP020N06FRAT100, 60В, 2А, MPT3 (60 шт.)В наявності
1 900 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET ROHM RHP020N06FRAT100 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Комплект складається з 60 одиниць у корпусі MPT3 для поверхневого монтажу (SMD).

  • Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
  • Максимальна напруга стік-витік: 60 В
  • Струм стіка: 2 А (постійний), 8 А (імпульсний)
  • Розсіювана потужність: 2 Вт
  • Опір у відкритому стані: 0,34 Ом
  • Корпус: MPT3, монтаж SMD
  • Комплектація: 60 шт.

Електричні параметри

Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 60 В та постійний струм стіка 2 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 8 А. Максимальна розсіювана потужність становить 2 Вт, а опір у відкритому стані дорівнює 0,34 Ом.

Керування та монтаж

Прилад має вхідну ємність, що відповідає заряду затвора 7 нКл, та витримує напругу затвор-витік ±20 В. Корпус MPT3 та тип монтажу SMD.

Характеристики
Основні
ВиробникRohm Semiconductor
Максимальна потужність розсіювання2 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Максимально допустима напруга стік-витік60 В
Максимально допустимий струм стоку2 А
Опір у відкритому стані (Rds)340 mOm
Тип монтажуПоверхневий
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті60 шт.
КорпусMPT3
Інформація для замовлення
  • Ціна: 1 900 ₴