
Транзистор N-MOSFET ROHM RHP020N06FRAT100, 60В, 2А, MPT3 (60 шт.)
1 900 ₴
- В наявності
- Код: TM076983
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ROHM RHP020N06FRAT100 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Комплект складається з 60 одиниць у корпусі MPT3 для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 60 В
- Струм стіка: 2 А (постійний), 8 А (імпульсний)
- Розсіювана потужність: 2 Вт
- Опір у відкритому стані: 0,34 Ом
- Корпус: MPT3, монтаж SMD
- Комплектація: 60 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 60 В та постійний струм стіка 2 А. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 8 А. Максимальна розсіювана потужність становить 2 Вт, а опір у відкритому стані дорівнює 0,34 Ом.
Керування та монтаж
Прилад має вхідну ємність, що відповідає заряду затвора 7 нКл, та витримує напругу затвор-витік ±20 В. Корпус MPT3 та тип монтажу SMD.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Rohm Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 2 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 2 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 340 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 60 шт. |
| Корпус | MPT3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 900 ₴
