Транзистор IGBT ROHM RGT16BM65DTL, 650В, 8А, TO252, набір 10 шт.

IGBT-транзистор ROHM RGT16BM65DTL у корпусі TO252 призначений для силових електронних схем із напругою до 650 В. Комплект складається з 10 одиниць, що забезпечує зручність для серійного виробництва або ремонту обладнання.

• Напруга колектор-емітер: 650 В
• Постійний струм колектора: 8 А
• Розсіювана потужність: 47 Вт
• Корпус: TO252 (SMD монтаж)
• Інтегрований антипаралельний діод
• Набір: 10 шт.

Висока напруга та струм

Транзистор працює з напругою колектор-емітер 650 В та постійним струмом колектора 8 А. Компонент призначений для силових електронних схем.

Ефективне розсіювання тепла

Максимальна розсіювана потужність становить 47 Вт. Корпус TO252 (DPAK) з монтажем SMD забезпечує компактне розміщення на платі та ефективний відвід тепла, що важливо для щільно змонтованих пристроїв.

Швидка комутація та низькі втрати

Час увімкнення транзистора — 27 нс, а час вимкнення — 170 нс. Такі характеристики мінімізують втрати при перемиканні. Зарядка затвора становить 21 нКл, що впливає на швидкість керування транзистором.

Вбудований діод та керування затвором

Компонент має інтегрований антипаралельний діод, що спрощує схему та зменшує кількість зовнішніх елементів. Максимальна напруга затвор-емітер становить ±30 В, що визначає допустимі параметри керуючого сигналу.