Кошик
+380 (96) 799-76-58
CLICKgo.fun- інтернет магазин
Кошик

Транзистор N-MOSFET ONSEMI RFP70N06, 60В, 70А, TO220AB (набір 10 шт.)

2 330 ₴

  • В наявності
  • Код: TM036661
Транзистор N-MOSFET ONSEMI RFP70N06, 60В, 70А, TO220AB (набір 10 шт.)
Транзистор N-MOSFET ONSEMI RFP70N06, 60В, 70А, TO220AB (набір 10 шт.)В наявності
2 330 ₴
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
+380 (96) 799-76-58
Менеджер
У компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.

Транзистор N-MOSFET ONSEMI RFP70N06 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для комутації струму до 70 А при напрузі 60 В. Товар постачається набором із 10 одиниць у корпусі TO220AB для монтажу на плату (THT).

  • Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
  • Максимальна напруга дрена-джерела: 60 В
  • Максимальний струм дрена: 70 А
  • Розсіювана потужність: 150 Вт
  • Опір у стані провідності: 14 мОм
  • Корпус: TO220AB, монтаж THT
  • Набір: 10 шт.

Електричні параметри

Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 60 В та витримує струм дрена до 70 А. Максимальна розсіювана потужність становить 150 Вт. Опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює 14 мОм.

Керування та заряд

Напруга керування на затворі (Gate-Source) може змінюватися в межах ±20 В. Загальний заряд затвора (Qg) становить 156 нКл.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у стандартному корпусі TO220AB. Тип монтажу — THT (through-hole technology), тобто виводи призначені для впаювання у отвори друкованої плати.

Комплектація

Увага: товар продається як набір із 10 транзисторів.

Характеристики
Основні
ВиробникON Semiconductor
Максимальна потужність розсіювання150 Вт
Максимально допустима напруга затвор-витік20 В
Максимально допустима напруга стік-витік60 В
Максимально допустимий струм стоку70 А
Опір у відкритому стані (Rds)14 mOm
Тип монтажуВставний
Тип транзистораПольовий
Користувальницькі характеристики
Кількість у комплекті10 шт.
КорпусTO220AB
Інформація для замовлення
  • Ціна: 2 330 ₴