
Транзистор N-MOSFET ONSEMI RFP70N06, 60В, 70А, TO220AB (набір 10 шт.)
2 330 ₴
- В наявності
- Код: TM036661
Транзистор N-MOSFET ONSEMI RFP70N06 — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення, призначений для комутації струму до 70 А при напрузі 60 В. Товар постачається набором із 10 одиниць у корпусі TO220AB для монтажу на плату (THT).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 60 В
- Максимальний струм дрена: 70 А
- Розсіювана потужність: 150 Вт
- Опір у стані провідності: 14 мОм
- Корпус: TO220AB, монтаж THT
- Набір: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою дрена-джерела до 60 В та витримує струм дрена до 70 А. Максимальна розсіювана потужність становить 150 Вт. Опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює 14 мОм.
Керування та заряд
Напруга керування на затворі (Gate-Source) може змінюватися в межах ±20 В. Загальний заряд затвора (Qg) становить 156 нКл.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у стандартному корпусі TO220AB. Тип монтажу — THT (through-hole technology), тобто виводи призначені для впаювання у отвори друкованої плати.
Комплектація
Увага: товар продається як набір із 10 транзисторів.
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 150 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 70 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 14 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | TO220AB |
- Ціна: 2 330 ₴
