Транзистор N-MOSFET ONSEMI RFD16N06LESM9A, 60В, 16А, DPAK (набір 10 шт.)
2 360 ₴
- В наявності
- Код: TM036658
Транзистор N-MOSFET ONSEMI RFD16N06LESM9A, 60В, 16А, DPAK (набір 10 шт.)В наявності
2 360 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI RFD16N06LESM9A — це уніполярний польовий транзистор з каналом збагачення. Товар постачається набором із 10 одиниць у корпусі DPAK для монтажу на поверхню (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний
- Максимальна напруга стік-витік: 60 В
- Струм стоку: 16 А
- Потужність розсіювання: 90 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Опір у відкритому стані: 47 мОм
- Кількість у наборі: 10 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу стік-витік 60 В та струм стоку 16 А. Потужність розсіювання становить 90 Вт. Напруга затвор-витік обмежена ±8 В, а опір у відкритому стані дорівнює 47 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі DPAK. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж). Заряд затвора становить 62 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 90 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 8 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 16 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 47 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | DPAK |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 360 ₴