Транзистор N-MOSFET ONSEMI RFD14N05SM9A, 50V, 14A, DPAK (набір 50 шт.)
2 190 ₴
- В наявності
- Код: TM036657
Транзистор N-MOSFET ONSEMI RFD14N05SM9A, 50V, 14A, DPAK (набір 50 шт.)В наявності
2 190 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ONSEMI RFD14N05SM9A — це уніполярний компонент з каналом збагачення. Модель розрахована на напругу 50 В та струм 14 А, виконана в корпусі DPAK для поверхневого монтажу (SMD). Поставляється набором із 50 штук.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Напруга стік-витік: 50 В
- Струм стіка: 14 А
- Розсіювана потужність: 48 Вт
- Корпус: DPAK, монтаж SMD
- Набір: 50 штук
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу стік-витік 50 В та постійний струм стіка 14 А. Опір у відкритому стані становить 0,1 Ом. Максимальна розсіювана потужність дорівнює 48 Вт, а заряд затвора — 40 нКл.
Корпус та монтаж
Компонент виготовлений у корпусі DPAK. Монтаж — поверхневий (SMD).
Комплектація
Товар поставляється як набір із 50 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | ON Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 48 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 50 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 14 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 100 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 50 шт. |
| Корпус | DPAK |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 190 ₴