Транзистор N-MOSFET ROHM RF4E100AJTCR, 30В, 10А, DFN2020-8S (набір 20 шт.)
2 340 ₴
- В наявності
- Код: TM036655
Транзистор N-MOSFET ROHM RF4E100AJTCR, 30В, 10А, DFN2020-8S (набір 20 шт.)В наявності
2 340 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Набір із 20 транзисторів ROHM RF4E100AJTCR типу N-MOSFET у корпусі DFN2020-8S. Компоненти призначені для монтажу на поверхню плати (SMD) та мають номінальний струм 10 А при напрузі 30 В.
- Тип: N-MOSFET, уніполярний
- Напруга стік-витік: 30 В
- Струм стоку: 10 А (імпульсний 36 А)
- Корпус: DFN2020-8S, монтаж SMD
- Опір у відкритому стані: 12,4 мОм
- Кількість у наборі: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор є уніполярним N-MOSFET з напругою стік-витік 30 В та постійним струмом стоку 10 А. Імпульсний струм становить 36 А. Опір у відкритому стані становить 12,4 мОм, а заряд затвора — 13 нКл.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі DFN2020-8S. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж). Максимальна розсіювана потужність становить 2 Вт, а допустима напруга затвор-витік — ±12 В.
Комплектація
У пакуванні міститься 20 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Rohm Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 2 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 12 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 10 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 12.4 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | DFN2020-8S |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 340 ₴