Транзистор N-MOSFET ROHM RF4E080GNTR, 30V, 8A, DFN2020-8S (комплект 40 шт.)

Комплект із 40 транзисторів ROHM RF4E080GNTR типу N-MOSFET у корпусі DFN2020-8S. Призначений для монтажу на поверхню плати (SMD) у електронних пристроях із навантаженням до 8 А.

• Тип: N-MOSFET, уніполярний, збагачуваний канал
• Напруга стік-витік: 30 В
• Струм стіка: 8 А (імпульсний до 32 А)
• Корпус: DFN2020-8S, монтаж SMD
• Опір у відкритому стані: 17,6 мОм
• Кількість у комплекті: 40 шт.

Електричні параметри та потужність

Транзистор має напругу стік-витік 30 В та постійний струм стіка 8 А. Імпульсний струм може досягати 32 А, що дозволяє працювати з короткочасними піковими навантаженнями. Опір у відкритому стані становить 17,6 мОм, що мінімізує втрати енергії при комутації.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у компактному корпусі DFN2020-8S, що забезпечує високу щільність розміщення на друкованій платі. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж), що є стандартом для сучасної електроніки. Максимальна розсіювана потужність становить 2 Вт, тому при проєктуванні схеми необхідно враховувати тепловідведення.

Керування та заряд затвора

Транзистор є уніполярним із збагачуваним каналом, що вимагає додатної напруги на затворі для відкриття. Максимальна допустима напруга затвор-витік становить ±20 В. Заряд затвора дорівнює 5,8 нКл, що впливає на швидкість перемикання та вимоги до драйвера.