Транзистор N-MOSFET ROHM RE1J002YNTCL, 50В, 200мА, SOT416F (набір 70 шт.)
1 950 ₴
- В наявності
- Код: TM076963
Транзистор N-MOSFET ROHM RE1J002YNTCL, 50В, 200мА, SOT416F (набір 70 шт.)В наявності
1 950 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET ROHM RE1J002YNTCL — це уніполярний польовий транзистор з індукованим каналом. Модель виконана у корпусі SOT416F для монтажу SMD та поставляється комплектом із 70 одиниць.
- Тип транзистора: N-MOSFET з індукованим каналом
- Максимальна напруга стік-витік: 50 В
- Постійний струм стіка: 200 мА (імпульсний до 0,8 А)
- Корпус SOT416F для поверхневого монтажу (SMD)
- Розсіювана потужність: 150 мВт
- Комплект: 70 транзисторів
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу стік-витік 50 В та постійний струм стіка 200 мА. У імпульсному режимі допустимий струм зростає до 0,8 А. Максимальна розсіювана потужність становить 150 мВт, а опір у відкритому стані — 9 Ом.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі SOT416F. Технологія монтажу SMD (поверхневий монтаж). Напруга затвор-витік обмежена ±8 В.
Комплектація
Товар постачається у вигляді набору, що містить 70 транзисторів.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Виробник | Rohm Semiconductor |
| Максимальна потужність розсіювання | 0.15 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 8 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 50 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.2 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 9000 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 70 шт. |
| Корпус | SOT416F |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 950 ₴