Транзистор N/P-MOSFET ROHM QS8M31TR, 60 В, 3 А, корпус TSMD8, комплект 30 шт.

Комплект із 30 транзисторів ROHM QS8M31TR типу N/P-MOSFET у корпусі TSMD8. Призначений для монтажу на поверхню (SMD) у електронних пристроях із напругою до 60 В та струмом до 3 А.

• Комплект із 30 транзисторів
• Тип: N/P-MOSFET, уніполярний
• Напруга дрена-джерела: 60/-60 В
• Струм дрена: 3/-2 А
• Потужність розсіювання: 1,5 Вт
• Корпус TSMD8 для SMD монтажу

Електричні параметри

Транзистори мають напругу дрена-джерела 60 В (для N-каналу) та -60 В (для P-каналу). Струм дрена становить 3 А та -2 А відповідно. У імпульсному режимі струм дрена може досягати 4–6 А. Потужність розсіювання — 1,5 Вт.

Електричні параметри

Опір у стані провідності становить 137 мОм для N-каналу та 266 мОм для P-каналу. Заряд затвора — 4 нКл та 7,2 нКл. Напруга затвор-джерело — ±20 В.

Корпус та монтаж

Компоненти виконані у корпусі TSMD8 для поверхневого монтажу (SMD). Це забезпечує компактність вузлів та автоматизацію процесу збирання плат.