Транзистор N-MOSFET PanJit PSMP055N08NS1, 80В, 111А, TO220AB, набір 20 шт (PSMP055N08NS1_T0_00601)

Набір із 20 потужних N-MOSFET транзисторів PanJit PSMP055N08NS1 у корпусі TO220AB. Компоненти розраховані на напругу 80 В та струм 111 А, що робить їх придатними для силових електронних схем.

• Напруга стік-витік: 80 В
• Постійний струм стоку: 111 А
• Імпульсний струм стоку: 360 А
• Розсіювана потужність: 136 Вт
• Опір у відкритому стані: 7 мОм
• Корпус: TO220AB (THT монтаж)
• Кількість у наборі: 20 шт.

Потужність та струм

Транзистори витримують постійний струм стоку 111 А та імпульсний струм до 360 А. Максимальна розсіювана потужність становить 136 Вт, що забезпечує стабільну роботу в умовах високих навантажень.

Електричні параметри

Максимальна напруга стік-витік дорівнює 80 В, а напруга затвор-витік — ±20 В. Опір у відкритому стані (Rds(on)) становить 7 мОм, що мінімізує втрати енергії при пропусканні струму.

Монтаж та корпус

Компоненти виконані у стандартному корпусі TO220AB для монтажу на плату (THT). Таке виконання зручне для пайки та забезпечує ефективне відведення тепла через радіатор.

Заряд затвора та керування

Заряд затвора становить 65,8 нКл, що впливає на швидкість перемикання та вимоги до драйвера затвора. Транзистор є уніполярним з каналом збагачення, що спрощує схеми керування. У пакуванні міститься 20 однакових транзисторів PanJit PSMP055N08NS1, що зручно для серійного виробництва або ремонту обладнання.