Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN8R2-80YS, 80В, 82А, LFPAK56 (PSMN8R2-80YS.115) (PSMN8R2-80YS,115) — набір 20 шт.

Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN8R2-80YS — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для силових електронних схем. Модель забезпечує робочий струм 82 А та напругу 80 В, що робить її придатною для потужних навантажень.

• Струм стоку 82 А
• Імпульсний струм 326 А
• Напруга стік-витік 80 В
• Опір у відкритому стані 5,8 мОм
• Розсіювана потужність 130 Вт
• Корпус LFPAK56 (SMD)
• Набір із 20 штук

Потужність та струм

Транзистор розрахований на постійний струм стоку 82 А та імпульсний струм до 326 А. Максимальна розсіювана потужність становить 130 Вт, що дозволяє використовувати компонент у схемах із високим енергоспоживанням без ризику перегріву.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності дорівнює 5,8 мОм. Таке низьке значення мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи, підвищуючи загальний ККД пристрою.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі LFPAK56 (також відомому як PowerSO8 або SOT669) для поверхневого монтажу (SMD). Цей формат забезпечує ефективний відвід тепла та компактне розміщення на друкованій платі.

Електричні параметри керування

Максимальна напруга затвор-витік становить ±20 В, а сумарний заряд затвора — 55 нКл. Ці характеристики визначають швидкість перемикання та вимоги до драйвера затвора у вашій схемі.

Комплектація

Увага: товар продається набором із 20 штук. Це зручно для серійного виробництва або ремонту обладнання, де використовується кілька транзисторів одночасно.