Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN7R0-60YS, 60V, 63A, 117W, SMD (PSMN7R0-60YS.115) (PSMN7R0-60YS,115) — набір 20 шт.

Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN7R0-60YS — це уніполярний транзистор з каналом збагачення, розрахований на струм до 63 А при напрузі 60 В. Компактний корпус LFPAK56 забезпечує ефективне відведення тепла та зручний монтаж на друковані плати.

• Струм дренажу до 63 А
• Напруга дренаж-джерело 60 В
• Розсіювана потужність 117 Вт
• Опір у стані провідності 14,7 мОм
• Корпус LFPAK56 для монтажу SMD
• Набір із 20 транзисторів

Висока потужність та струм

Транзистор розрахований на постійний струм дренажу 63 А та розсіювання потужності до 117 Вт. Це дозволяє використовувати компонент у ланцюгах із високими навантаженнями за умови належного відведення тепла.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності становить 14,7 мОм. Таке значення мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи, що зменшує втрати на компоненті.

Зручний монтаж SMD

Компонент виконаний у корпусі LFPAK56 (PowerSO8, SOT669) для поверхневого монтажу (SMD). Це дозволяє використовувати компонент у схемах з поверхневим монтажем.

Заряд затвора та напруга керування Заряд затвора становить 45 нКл, що впливає на швидкість перемикання транзистора. Максимальна напруга затвор-джерело дорівнює ±20 В, що визначає допустимі режими керування.

Товар постачається набором із 20 транзисторів. Така комплектація зручна для серійного виробництва або ремонту обладнання, де потрібно кілька однакових компонентів.