
Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN4R2-30MLDX, 30В, 70А, 65Вт (набір 50 шт.)
2 180 ₴
- В наявності
- Код: TM036625
Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN4R2-30MLDX — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для комутації струму до 70 А при напрузі 30 В. Товар поставляється набором із 50 штук у корпусі LFPAK33 (SOT1210) для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-виток: 30 В
- Постійний струм стоку: 70 А
- Імпульсний струм: 366 А
- Розсіювана потужність: 65 Вт
- Опір у відкритому стані: 4,5 мОм
- Корпус: LFPAK33 (SOT1210), монтаж SMD
- Комплектація: набір із 50 штук
Електричні параметри
Транзистор розрахований на максимальну напругу між стоком і витоком 30 В та постійний струм стоку 70 А. Імпульсний струм може досягати 366 А, що дозволяє витримувати короткочасні пікові навантаження. Опір у відкритому стані становить 4,5 мОм, що мінімізує втрати енергії при проходженні струму.
Теплові характеристики та керування
Максимальна розсіювана потужність дорівнює 65 Вт, що вимагає відповідного відведення тепла від корпусу. Напруга на затворі обмежена діапазоном ±20 В. Заряд затвора становить 19,6 нКл, що впливає на швидкість перемикання та вимоги до драйвера.
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 65 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 70 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 4.5 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 50 шт. |
| Корпус | LFPAK33, SOT1210 |
| Виробник | NEXPERIA |
- Ціна: 2 180 ₴
