Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN4R1-60YLX, 60В, 100А, LFPAK56 (комплект 20 шт.)

Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN4R1-60YLX — це силовий напівпровідниковий прилад для високопотужних схем.## Комплектація

• Струм стоку 100 А для потужних силових схем
• Імпульсний струм до 593 А
• Розсіювана потужність 238 Вт
• Низький опір провідності 3,3 мОм
• Корпус LFPAK56 для SMD-монтажу
• Комплект із 20 транзисторів

Висока потужність та струм

Транзистор розрахований на постійний струм стоку 100 А та імпульсний струм 593 А. Це дозволяє використовувати компонент у силових ланцюгах із високими навантаженнями. Максимальна розсіювана потужність становить 238 Вт, що гарантує надійність при інтенсивній експлуатації.

Низький опір та ефективність

Опір у стані провідності (Rds(on)) дорівнює 3,3 мОм. Таке низьке значення мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи. Це критично важливо для підвищення ККД пристрою та зменшення потреби у потужному охолодженні.

Компактний монтаж SMD

Компонент виготовлений у корпусі LFPAK56 (також відомому як PowerSO8 або SOT669) для поверхневого монтажу (SMD). Такий формат економить місце на платі та спрощує автоматизований монтаж.

Електричні параметри затвора та напруга пробою

Максимальна напруга затвор-виток (Vgs) становить ±20 В, що визначає допустимий рівень керуючого сигналу. Напруга пробою стік-виток (Vds) дорівнює 60 В, що обмежує робочий діапазон у силових ланцюгах. Транзистор є уніполярним із каналом типу N, що забезпечує передбачувану поведінку при перемиканні. Заряд затвора 103 нКл впливає на швидкість реакції та вимоги до драйвера.