Транзистор N-MOSFET NEXPERIA PSMN4R0-30YLDX, 30 В, 95 А, 64 Вт, комплект 30 шт.

Транзистор N-MOSFET NEXPERIA PSMN4R0-30YLDX — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Комплект складається з 30 одиниць у корпусі LFPAK56 (PowerSO8, SOT669) для поверхневого монтажу (SMD).

• Тип транзистора: N-MOSFET з каналом збагачення
• Максимальна напруга стік-витік: 30 В
• Максимальний струм стоку: 95 А (імпульсний до 378 А)
• Потужність розсіювання: 64 Вт
• Корпус: LFPAK56 (PowerSO8, SOT669), монтаж SMD
• Кількість у комплекті: 30 шт.

Електричні параметри

Максимальна напруга стік-витік становить 30 В, що визначає робочий діапазон навантаження. Максимально допустимий струм стоку дорівнює 95 А, а імпульсний струм може досягати 378 А. Потужність розсіювання обмежена значенням 64 Вт, що вимагає відповідного теплового розрахунку при проектуванні пристрою.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі LFPAK56, також відомому як PowerSO8 або SOT669. Монтаж здійснюється методом SMD (поверхневий монтаж).

Комплектація

У пакуванні міститься 30 транзисторів. Зарядка затвора становить 9,1 нКл, що впливає на швидкість перемикання. Резистанс у відкритому стані дорівнює 4,4 мОм, що мінімізує втрати енергії при проходженні струму. Максимальна напруга затвор-витік обмежена ±20 В.