Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN2R0-30YLE, 30В/100А, LFPAK56, набір 20 шт (PSMN2R0-30YLE,115)
2 630 ₴
- В наявності
- Код: TM020189
N-MOSFET транзистор Nexperia PSMN2R0-30YLE — це потужний уніполярний компонент для силових електронних схем. Модель розрахована на струм до 100 А та напругу 30 В, що робить її придатною для високонавантажених застосувань. У комплекті постачається 20 одиниць у корпусі LFPAK56.
- Струм стоку 100 А для потужних навантажень
- Імпульсний струм до 1015 А
- Розсіювана потужність 238 Вт
- Низький опір у відкритому стані 3,8 мОм
- Корпус LFPAK56 для SMD монтажу
- Набір із 20 транзисторів
Висока струмова навантаженість
Транзистор витримує постійний струм стоку 100 А, що дозволяє керувати потужними навантаженнями без перегріву. Імпульсний струм може сягати 1015 А, що забезпечує надійність при різких пікових навантаженнях.
Ефективне розсіювання тепла
Максимальна розсіювана потужність становить 238 Вт, що свідчить про високу енергоефективність компонента. Низький опір у відкритому стані (3,8 мОм) мінімізує втрати енергії та нагрівання.
Зручний монтаж SMD
Компонент виконаний у корпусі LFPAK56 (також відомому як PowerSO8 або SOT669) для поверхневого монтажу (SMD).
Стабільна робота при керуванні
Напруга затвор-витік становить ±20 В, Загальний заряд затвора 87 нКл забезпечує швидке перемикання.
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 238 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 30 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 100 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 3.8 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | LFPAK56, PowerSO8, SOT669 |
| Виробник | NEXPERIA |
- Ціна: 2 630 ₴