Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN1R7-60BS, 60В, 120А, D2PAK (PSMN1R7-60BS,118) — набір 10 шт.

N-MOSFET транзистор Nexperia PSMN1R7-60BS — це уніполярний компонент із каналом збагачення, що має параметри для роботи у ланцюгах з високими струмами. Модель вирізняється низьким опором у відкритому стані та високим струмом стоку, що забезпечує ефективну роботу в пристроях із живленням до 60 В.

• Струм стоку 120 А
• Низький опір у відкритому стані 4,5 мОм
• Напруга стік-витік 60 В
• Потужність розсіювання 306 Вт
• Корпус D2PAK (SOT404) для SMD монтажу
• Набір із 10 транзисторів

Високі параметри струму та напруги

Транзистор розрахований на максимальний струм стоку 120 А та напругу стік-витік 60 В. Ці характеристики визначають можливості компонента у ланцюгах із великим навантаженням. Потужність розсіювання 306 Вт свідчить про здатність компонента витримувати значні теплові навантаження при правильному монтажі та охолодженні.

Низький опір та заряд затвора

Опір у стані провідності становить лише 4,5 мОм, що мінімізує нагрівання транзистора під час роботи. Низький опір зменшує нагрівання компонента під час роботи. Заряд затвора становить 137 нКл.

Корпус та монтаж

Компонент виконаний у корпусі D2PAK (SOT404) із технологією монтажу SMD. Корпус D2PAK (SOT404) є стандартним для поверхневого монтажу. Максимальна напруга затвор-витік становить ±20 В.

Комплектація

Товар постачається набором із 10 штук.