
Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN1R2-25YLC, 25В, 100А, LFPAK56 (набір 20 шт.) (PSMN1R2-25YLC,115)
2 070 ₴
- В наявності
- Код: TM076822
Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN1R2-25YLC — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення. Модель має робочу напругу 25 В та постійний струм стоку 100 А, виконана у корпусі LFPAK56 (PowerSO8, SOT669).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга стік-витік: 25 В
- Постійний струм стоку: 100 А
- Імпульсний струм стоку: 1133 А
- Потужність розсіювання: 179 Вт
- Опір у відкритому стані: 1,35 мОм
- Корпус: LFPAK56 (PowerSO8, SOT669), монтаж SMD
- Кількість у комплекті: 20 шт.
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу стік-витік 25 В та постійний струм стоку 100 А. Імпульсний струм стоку становить 1133 А. Потужність розсіювання становить 179 Вт, а опір у відкритому стані — 1,35 мОм, що забезпечує ефективну роботу при високих струмах.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі LFPAK56 (також відомому як PowerSO8 або SOT669) для поверхневого монтажу (SMD). Такий формат корпусу забезпечує компактне розміщення на друкованій платі.
Комплектація
Товар постачається у вигляді набору, що містить 20 транзисторів. Напруга затвор-витік становить ±20 В, а заряд затвора — 66 нКл.
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 179 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 25 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 100 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1.35 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | LFPAK56, PowerSO8, SOT669 |
| Виробник | NEXPERIA |
- Ціна: 2 070 ₴
