Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN1R0-30YLC,115, 30В, 100А, 272Вт (PSMN1R0-30YLC.115) — набір 20 шт.

Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN1R0-30YLC,115 — це силовий напівпровідниковий прилад для комутації струму до 100 А при напрузі 30 В. Комплект із 20 штук забезпечує необхідну кількість компонентів для серійного виробництва або ремонту електронних пристроїв.

• Струм стоку до 100 А
• Напруга стік-витік 30 В
• Потужність розсіювання 272 Вт
• Опір у стані провідності 1,15 мОм
• Корпус LFPAK56 (PowerSO8, SOT669)
• Комплект із 20 штук

Електричні параметри та потужність

Максимальна напруга між витоком та стоком становить 30 В, а максимальний струм стоку — 100 А. Потужність розсіювання 272 Вт дозволяє використовувати компонент у силових ланцюгах із значними навантаженнями. Корпус LFPAK56 (PowerSO8, SOT669) сприяє ефективному тепловідведенню від кристала на друковану плату.

Низький опір у відкритому стані

Опір у стані провідності становить 1,15 мОм, що мінімізує втрати енергії та нагрівання компонента під час роботи. Це критично для акумуляторних систем та пристроїв із високим струмом споживання, де кожен мікроом опору впливає на загальний ККД. Низький опір також дозволяє зменшити розміри радіаторів або відмовитися від них у деяких застосунках.

Зручне керування та монтаж

Прилад є уніполярним із каналом збагачення, що спрощує схемотехніку керування. Наявність функції logic level дозволяє керувати транзистором безпосередньо від логічних виходів мікроконтролерів без додаткових драйверів. Монтаж виконується методом SMD, що забезпечує компактність вузла та автоматизацію процесу пайки.

Керування та швидкість перемикання

Напруга на затворі може досягати ±20 В, що надає запас міцності для імпульсних сигналів керування. Загальний заряд затвора дорівнює 70 нКл, що визначає швидкість перемикання та вимоги до потужності драйвера. Ці параметри важливі для розробників імпульсних джерел живлення, де швидкість перемикання впливає на ефективність.