Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN0R9-30YLDX, 30В, 284А, 291Вт (набір 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN0R9-30YLDX — це силовий напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на струм 284 А та розсіювання потужності 291 Вт. Компонент виконаний у корпусі LFPAK56E (PowerSO8, SOT1023) для монтажу на поверхню (SMD) і поставляється набором із 10 штук.

• Струм стоку 284 А та імпульсний струм 1,8 кА
• Розсіювана потужність 291 Вт
• Опір у відкритому стані 1,44 мОм
• Корпус LFPAK56E (PowerSO8, SOT1023) для SMD-монтажу
• Логічний рівень керування (logic level)
• Набір із 10 транзисторів

Висока струмова навантаженість

Транзистор витримує постійний струм стоку 284 А та імпульсний струм до 1,8 кА. Опір у відкритому стані становить 1,44 мОм.

Ефективне розсіювання тепла

Максимальна розсіювана потужність становить 291 Вт. Транзистор є уніполярним із каналом збагачення.

Керування та монтаж

Прилад має логічний рівень керування (logic level), Загальний заряд затвора 109 нКл визначає швидкість перемикання та вимоги до керуючого сигналу. Монтаж виконується методом SMD у корпусі SOT1023.