Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN057-200P, 200В, 39А, 250Вт, SOT78 (PSMN057-200P.127) — набір 10 шт.

N-MOSFET транзистор Nexperia PSMN057-200P — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для роботи під напругою до 200 В. Прилад забезпечує постійний струм 39 А та розсіює потужність 250 Вт, що робить його придатним для силових схем із високим навантаженням.

• Струм стоку 39 А та імпульсний струм 156 А
• Робоча напруга стік-витік 200 В
• Потужність розсіювання 250 Вт
• Опір у відкритому стані 41 мОм
• Корпус SOT78 (TO220AB) для монтажу THT
• Набір із 10 транзисторів

Висока струмова навантаженість

Транзистор працює зі струмом стоку 39 А, а в імпульсному режимі витримує пікове значення 156 А. Така характеристика дозволяє використовувати компонент у пристроях із різкими стрибками споживання енергії, забезпечуючи стабільність роботи.

Ефективне розсіювання тепла

Максимальна розсіювана потужність становить 250 Вт, що вимагає якісного відведення тепла від корпусу. Низький опір у відкритому стані (41 мОм) мінімізує втрати енергії та нагрівання під час тривалої експлуатації.

Зручний монтаж та корпус

Компонент виготовлений у корпусі SOT78 (TO220AB) для монтажу у отвори (THT). Це стандартне рішення для друкованих плат, що спрощує пайку та інтеграцію в існуючі електронні модулі.

Керування та заряди bramki

Напруга затвор-витік становить ±20 В, що визначає допустимі рівні керуючого сигналу. Заряд затвора 96 нКл впливає на швидкість перемикання та вимоги до драйвера. Товар поставляється набором із 10 транзисторів, що зручно для серійного виробництва або ремонту обладнання.