Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN030-60YS,115, 60В, 29А, 56Вт, корпус LFPAK56 (40 шт.)
2 170 ₴
- В наявності
- Код: TM036621
Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN030-60YS,115, 60В, 29А, 56Вт, корпус LFPAK56 (40 шт.)В наявності
2 170 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN030-60YS,115 — це силовий напівпровідниковий прилад для комутації струму. Комплект складається з 40 одиниць у корпусі LFPAK56 (PowerSO8) для поверхневого монтажу (SMD).
- Напруга дрена-джерела: 60 В
- Струм дрена: 29 А (постійний), 116 А (імпульсний)
- Розсіювана потужність: 56 Вт
- Опір у відкритому стані: 49,6 мОм
- Корпус: LFPAK56 (PowerSO8, SOT669), монтаж SMD
- Комплектація: 40 шт.
Електричні параметри
Транзистор розрахований на напругу дрена-джерела 60 В та постійний струм дрена 29 А. У імпульсному режимі струм може досягати 116 А, а максимальна розсіювана потужність становить 56 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 49,6 мОм.
Корпус та монтаж
Прилад виконаний у корпусі LFPAK56, також відомому як PowerSO8 або SOT669. Це SMD-компонент для поверхневого монтажу. Заряд затвора становить 13 нКл, а допустима напруга затвор-джерело — ±20 В. Транзистор є уніполярним з каналом збагачення типу N-MOSFET.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 56 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 29 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 49.6 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 40 шт. |
| Корпус | LFPAK56, PowerSO8, SOT669 |
| Виробник | NEXPERIA |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 170 ₴