Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN017-60YS,115, 60В, 44А, 74Вт (PSMN017-60YS.115) — набір 30 шт.
2 290 ₴
- В наявності
- Код: TM036620
Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN017-60YS,115, 60В, 44А, 74Вт (PSMN017-60YS.115) — набір 30 шт.В наявності
2 290 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN017-60YS,115 — це уніполярний напівпровідниковий прилад з каналом збагачення, розрахований на напругу 60 В та струм 44 А. Призначений для монтажу на поверхню (SMD) у корпусі LFPAK56 (PowerSO8, SOT669).
- Тип транзистора: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 60 В
- Максимальний струм дрена: 44 А
- Потужність розсіювання: 74 Вт
- Опір у відкритому стані: 36,1 мОм
- Корпус: LFPAK56 (PowerSO8, SOT669), монтаж SMD
- Набір: 30 штук
Електричні параметри
Транзистор працює з напругою дрена-джерела 60 В та витримує напругу на затворі ±20 В. Максимальний струм дрена становить 44 А, а потужність розсіювання — 74 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 36,1 мОм.
Монтаж та корпус
Компонент виконаний у корпусі LFPAK56, також відомому як PowerSO8 або SOT669. Це дозволяє використовувати технологію поверхневого монтажу (SMD).
Комплектація
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 74 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 44 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 36.1 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 30 шт. |
| Корпус | LFPAK56, PowerSO8, SOT669 |
| Виробник | NEXPERIA |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 290 ₴