Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN013-40VLDX, 40В, 30А, 46Вт, SMD, комплект 20 шт.
2 010 ₴
- В наявності
- Код: TM076816
Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN013-40VLDX, 40В, 30А, 46Вт, SMD, комплект 20 шт.В наявності
2 010 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Комплект із 20 транзисторів Nexperia PSMN013-40VLDX. Це подвійні N-MOSFET транзистори з технологією NextPowerS3, розраховані на напругу 40 В та струм 30 А. Виготовлені у корпусі LFPAK56D (SOT1205) для поверхневого монтажу (SMD).
- Комплект із 20 транзисторів
- Напруга дрена-джерела 40 В
- Струм дрена 30 А (169 А в імпульсі)
- Потужність розсіювання 46 Вт
- Опір у стані провідності 32,8 мОм
- Корпус LFPAK56D (SOT1205), монтаж SMD
- Технологія NextPowerS3
Електричні параметри та потужність
Транзистори мають напругу дрена-джерела 40 В та постійний струм дрена 30 А. У імпульсному режимі струм може досягати 169 А. Потужність розсіювання становить 46 Вт, а опір у стані провідності — 32,8 мОм.
Технологія NextPowerS3 та монтаж SMD
Використовується технологія NextPowerS3. Корпус LFPAK56D (SOT1205) призначений для поверхневого монтажу (SMD). Транзистори є уніполярними з каналом збагачення. Напруга затвор-джерело обмежена ±20 В, а заряд затвора — 19,4 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 46 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 40 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 30 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 32.8 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | LFPAK56D, SOT1205 |
| Виробник | NEXPERIA |
| Технологія | NextPowerS3 |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 010 ₴