Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN012-80PS,127, 80В, 52А, корпус TO220AB, 20 шт.
2 120 ₴
- В наявності
- Код: TM076813
Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN012-80PS,127, 80В, 52А, корпус TO220AB, 20 шт.В наявності
2 120 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN012-80PS,127 — це уніполярний компонент із каналом збагачення, призначений для роботи з напругою до 80 В та струмом 52 А. Комплект складається з 20 штук у корпусі TO220AB (SOT78) для монтажу в отвори (THT).
- Тип: N-MOSFET, уніполярний, канал збагачення
- Максимальна напруга дрена-джерела: 80 В
- Постійний струм дрена: 52 А, імпульсний: 295 А
- Потужність розсіювання: 148 Вт
- Опір у відкритому стані: 18 мОм
- Корпус: TO220AB (SOT78), монтаж THT
- Комплектація: 20 штук
Електричні параметри
Транзистор має максимальну напругу дрена-джерела 80 В та постійний струм дрена 52 А. Імпульсний струм дрена може досягати 295 А. Потужність розсіювання становить 148 Вт, а опір у відкритому стані — 18 мОм.
Керування та монтаж
Компонент керується напругою на затворі до ±20 В, а заряд затвора становить 43 нКл. Монтаж виконується в отвори (THT), корпус TO220AB (SOT78). Це уніполярний транзистор із каналом збагачення.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 148 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 80 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 52 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 18 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | SOT78, TO220AB |
| Виробник | NEXPERIA |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 120 ₴