
Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN012-100YS,115, 100В, 60А, 130Вт, LFPAK56 (набір 20 шт.)
3 560 ₴
- В наявності
- Код: TM020185
N-MOSFET транзистор Nexperia PSMN012-100YS,115 — це уніполярний компонент для електронних схем. Модель розрахована на напругу 100 В та струм 60 А, що забезпечує ефективне керування високою потужністю. Пропонується у наборі з 20 штук для використання в електроніці.
- Струм дрена 60 А для потужних силових ланцюгів
- Напруга дрена-джерела 100 В
- Розсіювана потужність 130 Вт
- Корпус LFPAK56 (PowerSO8) для монтажу SMD
- Опір у стані провідності 35,8 мОм
- Набір з 20 транзисторів
Електричні характеристики
Транзистор витримує напругу дрена-джерела 100 В та постійний струм дрена 60 А. Компонент має високі показники струму та напруги. Розсіювана потужність 130 Вт дозволяє працювати з потужністю розсіювання до 130 Вт.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі LFPAK56 (також відомому як PowerSO8 або SOT669) з монтажем SMD. Компактний корпус для поверхневого монтажу. Транзистор має низький опір у стані провідності 35,8 мОм.
Комплектація та параметри керування
Набір містить 20 транзисторів, зручний для масового використання. Уніполярний тип транзистора має канал збагачення. Напруга затвор-джерело ±20 В та заряд затвора 64 нКл мають типові параметри керування.
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 130 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 60 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 35.8 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 20 шт. |
| Корпус | LFPAK56, PowerSO8, SOT669 |
| Виробник | NEXPERIA |
- Ціна: 3 560 ₴
