Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN009-100P,127, 100В, 65А, корпус TO220AB (набір 10 шт.)
2 690 ₴
- В наявності
- Код: TM020184
Транзистор N-MOSFET Nexperia PSMN009-100P,127, 100В, 65А, корпус TO220AB (набір 10 шт.)В наявності
2 690 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
N-MOSFET транзистор Nexperia PSMN009-100P,127 — це уніполярний компонент із каналом збагачення. Прилад розрахований на напругу 100 В та постійний струм 65 А. У комплекті постачається 10 одиниць.
- Струм стоку 65 А
- Імпульсний струм 400 А
- Розсіювана потужність 230 Вт
- Низький опір у відкритому стані 23,8 мОм
- Напруга стік-виток 100 В
- Корпус TO220AB для монтажу виводами (THT)
- Комплект із 10 транзисторів
Струмові параметри
Транзистор має постійний струм стоку 65 А. Допустимий імпульсний струм становить 400 А.
Потужність та опір
Максимальна розсіювана потужність становить 230 Вт. Опір у відкритому стані дорівнює 23,8 мОм.
Корпус та монтаж
Компонент виконаний у корпусі TO220AB (SOT78). Монтаж здійснюється виводами (THT).
Параметри керування
Максимальна напруга затвор-виток становить ±20 В. Загальний заряд затвора дорівнює 156 нКл.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 230 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 100 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 65 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 23.8 mOm |
| Тип монтажу | Вставний |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 10 шт. |
| Корпус | SOT78, TO220AB |
| Виробник | NEXPERIA |
Інформація для замовлення
- Ціна: 2 690 ₴