Транзистор P-MOSFET Nexperia PMV160UP,215, SOT23, набір 70 шт.

P-канальний MOSFET-транзистор Nexperia PMV160UP,215 у корпусі SOT23 для поверхневого монтажу. Набір складається з 70 одиниць компонентів, призначених для електронних схем із навантаженням до -800 мА та напругою до -20 В.

• Тип транзистора: P-MOSFET, уніполярний
• Максимальний струм витоку: -800 мА
• Напруга витоку-джерела: -20 В
• Розсіювана потужність: 0,48 Вт
• Опір у стані провідності: 0,38 Ом
• Корпус: SOT23 (TO236AB), монтаж SMD
• Кількість у наборі: 70 шт.

Електричні характеристики

Транзистор є уніполярним P-MOSFET із каналом збагаченого типу. Максимальний струм витоку становить -800 мА, а гранична напруга витоку-джерела — -20 В. Розсіювана потужність дорівнює 0,48 Вт.

Опір та заряд затвора

Опір у стані провідності дорівнює 0,38 Ом, що впливає на теплові втрати при роботі. Заряд затвора становить 4 нКл, а допустима напруга затвор-джерело — ±8 В. Ці параметри визначають умови керування транзистором у схемах.