Транзистор N-MOSFET Nexperia PMPB215ENEA/FX, 80В, 1,2А, SMD (комплект 30 шт.)

Транзистор N-MOSFET Nexperia PMPB215ENEA/FX — це польовий транзистор з каналом n-типу та технологією Trench,. Модель розрахована на напругу 80 В та струм 1,2 А, виконана у компактному корпусі SMD для поверхневого монтажу.

• Тип транзистора: N-MOSFET з технологією Trench
• Максимальна напруга дрена-джерела: 80 В
• Струм дрена: 1,2 А (імпульсний до 7,6 А)
• Корпус: DFN2020MD-6 (SOT1220), монтаж SMD
• Комплект: 30 штук

Технічні параметри

Транзистор має максимальну напругу дрена-джерела 80 В та номінальний струм дрена 1,2 А. У імпульсному режимі струм може досягати 7,6 А, а розсіювана потужність становить 1,6 Вт. Опір у стані провідності дорівнює 445 мОм.

Корпус та монтаж

Компонент виготовлений у корпусі DFN2020MD-6 (SOT1220) з типом монтажу SMD. Заряд затвора становить 7,2 нКл,.

Комплектація

Товар постачається набором із 30 штук. Комплект містить 30 транзисторів. Транзистор є уніполярним із збагачуваним каналом. Символ виробника: PMPB215ENEA/FX.