Транзистор N-MOSFET Nexperia PMGD780SN,115, 60В, 0,31А, комплект 90 шт.
1 870 ₴
- В наявності
- Код: TM076748
Транзистор N-MOSFET Nexperia PMGD780SN,115, 60В, 0,31А, комплект 90 шт.В наявності
1 870 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Комплект із 90 транзисторів Nexperia PMGD780SN,115 типу N-MOSFET x2. Це уніполярні компоненти з максимальним струмом стоку 0,31 А та напругою стік-витік 60 В, призначені для поверхневого монтажу (SMD).
- Тип транзистора: N-MOSFET x2 (подвійний)
- Максимальна напруга стік-витік: 60 В
- Максимальний струм стоку: 0,31 А
- Потужність розсіювання: 0,41 Вт
- Корпус: SC88 (SOT363, TSSOP6)
- Тип монтажу: SMD (поверхневий)
- Кількість у комплекті: 90 шт.
Електричні характеристики
Транзистори мають максимальну потужність розсіювання 0,41 Вт. Максимально допустима напруга стік-витік становить 60 В, а струм стоку — 0,31 А. Корпус SC88 (SOT363, TSSOP6).
Корпус та монтаж
Компоненти мають тип монтажу SMD (поверхневий). У комплекті постачається 90 одиниць.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 0.41 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 20 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 60 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.31 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 1700 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 90 шт. |
| Корпус | SC88, SOT363, TSSOP6 |
| Виробник | NEXPERIA |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 870 ₴