Транзистор N-MOSFET Nexperia PMGD280UN,115, 20В, 0,55А, SMD (комплект 100 шт.)
1 890 ₴
- В наявності
- Код: TM076747
Транзистор N-MOSFET Nexperia PMGD280UN,115, 20В, 0,55А, SMD (комплект 100 шт.)В наявності
1 890 ₴
+380 (96) 799-76-58
МенеджерУ компанії підключені електронні платежі. Тепер ви можете купити будь-який товар не покидаючи сайту.
Транзистор N-MOSFET Nexperia PMGD280UN,115 — це подвійний польовий транзистор з ізольованим затвором у корпусі SMD. Комплект складається зі 100 одиниць, призначених для монтажу на поверхню плати.
- Тип: подвійний N-MOSFET (N-MOSFET x2)
- Максимальна напруга стік-джерело: 20 В
- Струм стоку: 0,55 А
- Потужність розсіювання: 0,4 Вт
- Корпус: SC88, SOT363, TSSOP6
- Монтаж: SMD
- Кількість у комплекті: 100 шт.
Тип та канал керування
Компонент є подвійним N-MOSFET з каналом типу «wzbogacany» (збагачений). Полярність транзистора — уніполярна. Заряд затвора становить 0,89 нКл.
Електричні параметри
Максимальна напруга стік-джерело становить 20 В, а напруга затвор-джерело обмежена ±8 В. Струм стоку дорівнює 0,55 А при потужності розсіювання 0,4 Вт. Опір у стані провідності (Rds(on)) становить 0,66 Ом.
Характеристики
| Основні | |
|---|---|
| Максимальна потужність розсіювання | 0.4 Вт |
| Максимально допустима напруга затвор-витік | 8 В |
| Максимально допустима напруга стік-витік | 20 В |
| Максимально допустимий струм стоку | 0.55 А |
| Опір у відкритому стані (Rds) | 660 mOm |
| Тип монтажу | Поверхневий |
| Тип транзистора | Польовий |
| Користувальницькі характеристики | |
| Кількість у комплекті | 100 шт. |
| Корпус | SC88, SOT363, TSSOP6 |
| Виробник | NEXPERIA |
Інформація для замовлення
- Ціна: 1 890 ₴